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          誠峰crf等離子表面處理器和過渡金屬氧化物催化活性

          • 分類:技術支持
          • 作者:等離子清洗機-CRF plasma等離子設備-等離子表面處理機廠家-誠峰智造
          • 來源:低溫等離子設備生產廠家
          • 發布時間:2022-03-02
          • 訪問量:

          【概要描述】誠峰crf等離子表面處理器和過渡金屬氧化物催化活性: ????? ?等離子表面處理器與鑭系催化劑一同效用下C2烴、CO收率與鑭系催化劑的原子序數存在一定關系,即隨著元素原子序數的增加,C烴收率逐漸下降,CO收率逐漸上升。這說明在等離子體氣氛下,鑭系催化劑對體系中的各種自由基存在吸附選擇性的差別和吸附能力的差別。La203/Y-Al2O3催化劑吸附甲基自由基并促使C2烴的產生;與La203/Y-Al2O3催化劑不一樣,Nd2O3/Y-Al203催化劑則傾向于吸附含氧自由基,并且催化劑表面的甲基自由基易被含氧自由基氧化產生CO。 ? ? ? ?值得注意的是,在CO2氧化CH4制C2烴反應中,CeO2/Y-Al203與等離子表面處理器一同效用呈現出不錯的催化活性,這與CeO2/Y-Al203在催化法CH4氧化偶聯反應中的效用明顯不一樣,一般認為CeO2/Y-Al203是CH4完全氧化產生CO的優良催化劑,不利于產生C2烴;同樣,雖然Sm2O3/Y-Al2O3是優良的CH4氧化偶聯反應催化劑,但在plasma等離子體氣氛下其催化活性并不明顯。這說明等離子體與催化劑一同作用機理與單純催化作用機理并不相同,因此有待于深入研究等離子表面處理器與催化劑一同作用機理。 ????? ?在CO2氧化CH4轉化反應中,負載型金屬氧化物催化劑(堿土金屬氧化物、過渡金屬氧化物、鑭系金屬氧化物)與等離子表面處理器一同效用的研究表明:部分催化劑如La203/Y-Al203、Na2WO4/Y-Al203等通過表面反應提高C2烴產物選擇性,進而提高了C2烴產物收率,但未能從根本上改變C2烴產物分布,乙炔在C2烴產物中占70%以上,同時反應的氣相副產物是H2和CO。鑒于上述試驗結果,有必要選擇合適催化劑改變C2烴產物分布,提高C2H2在C2烴產物中的摩爾分數,增加反應原子的經濟效益。 ? ? ?

          誠峰crf等離子表面處理器和過渡金屬氧化物催化活性

          【概要描述】誠峰crf等離子表面處理器和過渡金屬氧化物催化活性:
          ????? ?等離子表面處理器與鑭系催化劑一同效用下C2烴、CO收率與鑭系催化劑的原子序數存在一定關系,即隨著元素原子序數的增加,C烴收率逐漸下降,CO收率逐漸上升。這說明在等離子體氣氛下,鑭系催化劑對體系中的各種自由基存在吸附選擇性的差別和吸附能力的差別。La203/Y-Al2O3催化劑吸附甲基自由基并促使C2烴的產生;與La203/Y-Al2O3催化劑不一樣,Nd2O3/Y-Al203催化劑則傾向于吸附含氧自由基,并且催化劑表面的甲基自由基易被含氧自由基氧化產生CO。
          ? ? ? ?值得注意的是,在CO2氧化CH4制C2烴反應中,CeO2/Y-Al203與等離子表面處理器一同效用呈現出不錯的催化活性,這與CeO2/Y-Al203在催化法CH4氧化偶聯反應中的效用明顯不一樣,一般認為CeO2/Y-Al203是CH4完全氧化產生CO的優良催化劑,不利于產生C2烴;同樣,雖然Sm2O3/Y-Al2O3是優良的CH4氧化偶聯反應催化劑,但在plasma等離子體氣氛下其催化活性并不明顯。這說明等離子體與催化劑一同作用機理與單純催化作用機理并不相同,因此有待于深入研究等離子表面處理器與催化劑一同作用機理。
          ????? ?在CO2氧化CH4轉化反應中,負載型金屬氧化物催化劑(堿土金屬氧化物、過渡金屬氧化物、鑭系金屬氧化物)與等離子表面處理器一同效用的研究表明:部分催化劑如La203/Y-Al203、Na2WO4/Y-Al203等通過表面反應提高C2烴產物選擇性,進而提高了C2烴產物收率,但未能從根本上改變C2烴產物分布,乙炔在C2烴產物中占70%以上,同時反應的氣相副產物是H2和CO。鑒于上述試驗結果,有必要選擇合適催化劑改變C2烴產物分布,提高C2H2在C2烴產物中的摩爾分數,增加反應原子的經濟效益。 ? ? ?

          • 分類:技術支持
          • 作者:等離子清洗機-CRF plasma等離子設備-等離子表面處理機廠家-誠峰智造
          • 來源:低溫等離子設備生產廠家
          • 發布時間:2022-03-02 14:49
          • 訪問量:
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          誠峰crf等離子表面處理器和過渡金屬氧化物催化活性:
                 
          等離子表面處理器與鑭系催化劑一同效用下C2烴、CO收率與鑭系催化劑的原子序數存在一定關系,即隨著元素原子序數的增加,C烴收率逐漸下降,CO收率逐漸上升。這說明在等離子體氣氛下,鑭系催化劑對體系中的各種自由基存在吸附選擇性的差別和吸附能力的差別。La203/Y-Al2O3催化劑吸附甲基自由基并促使C2烴的產生;與La203/Y-Al2O3催化劑不一樣,Nd2O3/Y-Al203催化劑則傾向于吸附含氧自由基,并且催化劑表面的甲基自由基易被含氧自由基氧化產生CO。
          等離子表面處理器       值得注意的是,在CO2氧化CH4制C2烴反應中,CeO2/Y-Al203與等離子表面處理器一同效用呈現出不錯的催化活性,這與CeO2/Y-Al203在催化法CH4氧化偶聯反應中的效用明顯不一樣,一般認為CeO2/Y-Al203是CH4完全氧化產生CO的優良催化劑,不利于產生C2烴;同樣,雖然Sm2O3/Y-Al2O3是優良的CH4氧化偶聯反應催化劑,但在plasma等離子體氣氛下其催化活性并不明顯。這說明等離子體與催化劑一同作用機理與單純催化作用機理并不相同,因此有待于深入研究等離子表面處理器與催化劑一同作用機理。
                 在CO2氧化CH4轉化反應中,負載型金屬氧化物催化劑(堿土金屬氧化物、過渡金屬氧化物、鑭系金屬氧化物)與等離子表面處理器一同效用的研究表明:部分催化劑如La203/Y-Al203、Na2WO4/Y-Al203等通過表面反應提高C2烴產物選擇性,進而提高了C2烴產物收率,但未能從根本上改變C2烴產物分布,乙炔在C2烴產物中占70%以上,同時反應的氣相副產物是H2和CO。鑒于上述試驗結果,有必要選擇合適催化劑改變C2烴產物分布,提高C2H2在C2烴產物中的摩爾分數,增加反應原子的經濟效益。      

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